STD12NF06-1

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STD12NF06-1
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Especificaciones:	STD12NF06-1.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	85927 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 85927 pcs

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3000 pcs: $0.276

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Especificaciones de STD12NF06-1

Número de pieza	STD12NF06-1	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 60V 12A IPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	85927 pcs	Ficha de datos	STD12NF06-1.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	I-PAK
Serie	STripFET™ II	RDS (Max) @Id, Vgs	100 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	30W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	315pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	12nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	N-Channel 60V 12A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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