STD11N60DM2

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STD11N60DM2
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
Especificaciones:	1.STD11N60DM2.pdf 2.STD11N60DM2.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	66544 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 66544 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.638

10 pcs: $0.578

100 pcs: $0.464

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Especificaciones de STD11N60DM2

Número de pieza	STD11N60DM2	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	66544 pcs	Ficha de datos	1.STD11N60DM2.pdf 2.STD11N60DM2.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DPAK
Serie	MDmesh™ DM2	RDS (Max) @Id, Vgs	420 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	110W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	497-16925-1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	614pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	16.5nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V
Descripción detallada	N-Channel 650V 10A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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