STMicroelectronics| Número de pieza | STB80NF03L-04-1 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 29317 pcs | Ficha de datos | STB80NF03L-04-1.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | I2PAK |
| Serie | STripFET™ II | RDS (Max) @Id, Vgs | 4 mOhm @ 40A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 300W (Tc) | embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | Otros nombres | 497-12540-5 STB80NF03L-04-1-ND STB80NF03L041 |
| Temperatura de funcionamiento | -60°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 110nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | N-Channel 30V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
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