STB26N60M2

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STB26N60M2
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK
Especificaciones:	1.STB26N60M2.pdf 2.STB26N60M2.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	39946 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 39946 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.439

10 pcs: $1.285

100 pcs: $1.054

500 pcs: $0.853

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Especificaciones de STB26N60M2

Número de pieza	STB26N60M2	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	39946 pcs	Ficha de datos	1.STB26N60M2.pdf 2.STB26N60M2.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D2PAK
Serie	MDmesh™ M2	RDS (Max) @Id, Vgs	165 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)	169W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	497-17546-1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1360pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	34nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 20A (Tc) 169W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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