STB25N80K5

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STB25N80K5
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK
Especificaciones:	STB25N80K5.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	14071 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 14071 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1000 pcs: $2.112

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Especificaciones de STB25N80K5

Número de pieza	STB25N80K5	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	14071 pcs	Ficha de datos	STB25N80K5.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D2PAK
Serie	SuperMESH5™	RDS (Max) @Id, Vgs	260 mOhm @ 19.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	250W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	497-13640-2
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	40nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	800V	Descripción detallada	N-Channel 800V 19.5A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	19.5A (Tc)

Modo de transporte
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