STB14N80K5

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STB14N80K5
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Especificaciones:	1.STB14N80K5.pdf 2.STB14N80K5.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	40570 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 40570 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de STB14N80K5

Número de pieza	STB14N80K5	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	40570 pcs	Ficha de datos	1.STB14N80K5.pdf 2.STB14N80K5.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D2PAK
Serie	MDmesh™ K5	RDS (Max) @Id, Vgs	445 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	130W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	42 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	620pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	22nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	800V
Descripción detallada	N-Channel 800V 12A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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