PD20010-E

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	PD20010-E
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Especificaciones:	PD20010-E.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	7094 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7094 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $6.537

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Especificaciones de PD20010-E

Número de pieza	PD20010-E	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	7094 pcs	Ficha de datos	PD20010-E.pdf
Voltaje - Prueba	13.6V	Tensión - Calificación	40V
Tipo de transistor	LDMOS	Paquete del dispositivo	PowerSO-10RF (Formed Lead)
Serie	-	Alimentación - Salida	10W
embalaje	Tube	Paquete / Cubierta	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Otros nombres	497-13044-5 PD20010-E-ND PD20010E	Figura de ruido	-
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	3 (168 Hours)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	25 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Ganancia	11dB
Frecuencia	2GHz	Descripción detallada	RF Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Formed Lead)
Valoración actual	5A	Corriente - Prueba	150mA
Número de pieza base	PD20010

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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