NAND01GW3B2AN6E

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	NAND01GW3B2AN6E
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
Especificaciones:	NAND01GW3B2AN6E.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4079 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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In Stock 4079 pcs

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576 pcs: $9.036

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Especificaciones de NAND01GW3B2AN6E

Número de pieza	NAND01GW3B2AN6E	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4079 pcs	Ficha de datos	NAND01GW3B2AN6E.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página	30ns	Suministro de voltaje	2.7 V ~ 3.6 V
Tecnología	FLASH - NAND	Paquete del dispositivo	48-TSOP
Serie	-	embalaje	Tray
Paquete / Cubierta	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	Otros nombres	497-4617
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	3 (168 Hours)	Tipo de memoria	Non-Volatile
Tamaño de la memoria	1Gb (128M x 8)	Interfaz de memoria	Parallel
Formato de memoria	FLASH	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada	FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 30ns 48-TSOP	Número de pieza base	NAND01G
Tiempo de acceso	30ns

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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