RJK6002DPD-00#J2

Renesas Electronics America

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Descripción del producto

Número de pieza:	RJK6002DPD-00#J2
Fabricante / Marca:	Renesas Electronics America
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 2A MP3A
Especificaciones:	RJK6002DPD-00#J2.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4455 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4455 pcs

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Especificaciones de RJK6002DPD-00#J2

Número de pieza	RJK6002DPD-00#J2	Fabricante	Renesas Electronics America
Descripción	MOSFET N-CH 600V 2A MP3A	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4455 pcs	Ficha de datos	RJK6002DPD-00#J2.pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	MP-3A
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	6.8 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)	30W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	165pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	6.2nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 2A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount MP-3A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Ta)

Modo de transporte
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