NP75N04YUG-E1-AY

Renesas Electronics America

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Descripción del producto

Número de pieza:	NP75N04YUG-E1-AY
Fabricante / Marca:	Renesas Electronics America
Descripción del producto	MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON
Especificaciones:	NP75N04YUG-E1-AY.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	59316 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 59316 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de NP75N04YUG-E1-AY

Número de pieza	NP75N04YUG-E1-AY	Fabricante	Renesas Electronics America
Descripción	MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	59316 pcs	Ficha de datos	NP75N04YUG-E1-AY.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-HSON
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	4.8 mOhm @ 37.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1W (Ta), 138W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad	Otros nombres	NP75N04YUG-E1-AYCT NP75N04YUGE1AY
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6450pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	116nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V
Descripción detallada	N-Channel 40V 75A (Tc) 1W (Ta), 138W (Tc) Surface Mount 8-HSON	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
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