NP100P04PLG-E1-AY

Renesas Electronics America

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Descripción del producto

Número de pieza:	NP100P04PLG-E1-AY
Fabricante / Marca:	Renesas Electronics America
Descripción del producto	MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
Especificaciones:	NP100P04PLG-E1-AY.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4377 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4377 pcs

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Especificaciones de NP100P04PLG-E1-AY

Número de pieza	NP100P04PLG-E1-AY	Fabricante	Renesas Electronics America
Descripción	MOSFET P-CH 40V 100A TO-263	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4377 pcs	Ficha de datos	NP100P04PLG-E1-AY.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-263
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	3.7 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.8W (Ta), 200W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	NP100P04PLG-E1-AY-ND NP100P04PLG-E1-AYTR
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	15100pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	320nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V
Descripción detallada	P-Channel 40V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount TO-263	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)

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Después de las ventas
Especificaciones

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