H7N1002LS-E

Renesas Electronics America

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Descripción del producto

Número de pieza:	H7N1002LS-E
Fabricante / Marca:	Renesas Electronics America
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V LDPAK
Especificaciones:	H7N1002LS-E.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4416 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4416 pcs

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Especificaciones de H7N1002LS-E

Número de pieza	H7N1002LS-E	Fabricante	Renesas Electronics America
Descripción	MOSFET N-CH 100V LDPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4416 pcs	Ficha de datos	H7N1002LS-E.pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	4-LDPAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	10 mOhm @ 37.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	100W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SC-83	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	9700pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	155nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V	Descripción detallada	N-Channel 100V 75A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	75A (Ta)

Modo de transporte
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