RGF1K-E3/67A

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Descripción del producto

Número de pieza:	RGF1K-E3/67A
Fabricante / Marca:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA
Especificaciones:	1.RGF1K-E3/67A.pdf 2.RGF1K-E3/67A.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	287653 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 287653 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.166

10 pcs: $0.143

25 pcs: $0.134

100 pcs: $0.107

250 pcs: $0.099

500 pcs: $0.084

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Especificaciones de RGF1K-E3/67A

Número de pieza	RGF1K-E3/67A	Fabricante	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	287653 pcs	Ficha de datos	1.RGF1K-E3/67A.pdf 2.RGF1K-E3/67A.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1A
Tensión - Desglose	DO-214BA (GF1)	Serie	SUPERECTIFIER®
Estado RoHS	Digi-Reel®	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F	8.5pF @ 4V, 1MHz	Polarización	DO-214BA
Otros nombres	RGF1K-E3/67AGIDKR	Temperatura de funcionamiento - Junction	500ns
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	16 Weeks	Número de pieza del fabricante	RGF1K-E3/67A
Descripción ampliada	Diode Standard 800V 1A Surface Mount DO-214BA (GF1)	configuración de diodo	5µA @ 800V
Descripción	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA	Corriente - Fuga inversa a Vr	1.3V @ 1A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	800V	Capacitancia Vr, F	-65°C ~ 175°C

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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