Nexperia USA Inc.| Número de pieza | PMXB56EN | Fabricante | Nexperia USA Inc. |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5293 pcs | Ficha de datos | PMXB56EN.pdf |
| Voltaje - Prueba | 209pF @ 15V | Tensión - Desglose | DFN1010D-3 |
| VGS (th) (Max) @Id | 55 mOhm @ 3.2A, 10V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | - | Estado RoHS | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 3.2A (Ta) | Polarización | 3-XDFN Exposed Pad |
| Otros nombres | 1727-1477-2 568-10948-2 568-10948-2-ND 934067234115 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | PMXB56EN | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6.3nC @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2V @ 250µA | Característica de FET | N-Channel |
| Descripción ampliada | N-Channel 30V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3 | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - |
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 30V |
| relación de capacidades | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) |
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|---|---|---|
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