SG2003J-JAN

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	SG2003J-JAN
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
Especificaciones:	SG2003J-JAN.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5720 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5720 pcs

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Especificaciones de SG2003J-JAN

Número de pieza	SG2003J-JAN	Fabricante	Microsemi
Descripción	TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5720 pcs	Ficha de datos	SG2003J-JAN.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	50V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 500µA, 350mA
Tipo de transistor	7 NPN Darlington	Paquete del dispositivo	16-CDIP
Serie	-	Potencia - Max	-
embalaje	Tube	Paquete / Cubierta	16-CDIP (0.300", 7.62mm)
Otros nombres	1259-1082 1259-1082-MIL M38510/14103BEA Q9387418 SG2003JJAN	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frecuencia - Transición	-
Descripción detallada	Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 350mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max)	-	Corriente - colector (Ic) (Max)	500mA

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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