JANTXV1N4150-1

Microsemi Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	JANTXV1N4150-1
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Especificaciones:	JANTXV1N4150-1.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	41738 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 41738 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.80

10 pcs: $1.606

25 pcs: $1.446

100 pcs: $1.317

250 pcs: $1.189

500 pcs: $1.067

1000 pcs: $0.90

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Especificaciones de JANTXV1N4150-1

Número de pieza	JANTXV1N4150-1	Fabricante	Microsemi Corporation
Descripción	DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	41738 pcs	Ficha de datos	JANTXV1N4150-1.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	200mA
Tensión - Desglose	DO-35	Serie	Military, MIL-PRF-19500/231
Estado RoHS	Bulk	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Resistencia @ Si, F	-	Polarización	DO-204AH, DO-35, Axial
Otros nombres	1086-15552-MIL	Temperatura de funcionamiento - Junction	4ns
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	20 Weeks	Número de pieza del fabricante	JANTXV1N4150-1
Descripción ampliada	Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35	configuración de diodo	100nA @ 50V
Descripción	DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35	Corriente - Fuga inversa a Vr	1V @ 200mA
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	50V	Capacitancia Vr, F	-65°C ~ 175°C

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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