JANSR2N7381

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	JANSR2N7381
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD
Especificaciones:	JANSR2N7381.pdf
Condición de stock	5154 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5154 pcs

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Especificaciones de JANSR2N7381

Número de pieza	JANSR2N7381	Fabricante	Microsemi
Descripción	N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	5154 pcs	Ficha de datos	JANSR2N7381.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-257
Serie	Military, MIL-PRF-19500/614	RDS (Max) @Id, Vgs	490 mOhm @ 9.4A, 12V
La disipación de energía (máximo)	2W (Ta), 75W (Tc)	Paquete / Cubierta	TO-257-3
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	50nC @ 12V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	12V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	200V	Descripción detallada	N-Channel 200V 9.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	9.4A (Tc)

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