JAN2N6790

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	JAN2N6790
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
Especificaciones:	JAN2N6790.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	4773 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4773 pcs

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Especificaciones de JAN2N6790

Número de pieza	JAN2N6790	Fabricante	Microsemi
Descripción	MOSFET N-CH TO-205AF TO-39	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	4773 pcs	Ficha de datos	JAN2N6790.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-39
Serie	Military, MIL-PRF-19500/555	RDS (Max) @Id, Vgs	850 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	800mW (Tc)	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	TO-205AF Metal Can	Otros nombres	JAN2N6790-MIL
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	14.3nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	200V	Descripción detallada	N-Channel 200V 3.5A (Tc) 800mW (Tc) Through Hole TO-39
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3.5A (Tc)

Modo de transporte
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