JAN1N5811US

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	JAN1N5811US
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF
Especificaciones:	JAN1N5811US.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	8114 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 8114 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

100 pcs: $3.725

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Especificaciones de JAN1N5811US

Número de pieza	JAN1N5811US	Fabricante	Microsemi
Descripción	DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	8114 pcs	Ficha de datos	JAN1N5811US.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	875mV @ 4A	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	150V
Paquete del dispositivo	B, SQ-MELF	Velocidad	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	Military, MIL-PRF-19500/477	Tiempo de recuperación inversa (trr)	30ns
embalaje	Bulk	Paquete / Cubierta	SQ-MELF, B
Otros nombres	1086-2127 1086-2127-MIL Q9178857	Temperatura de funcionamiento - Junction	-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Tipo de diodo	Standard
Descripción detallada	Diode Standard 150V 6A Surface Mount B, SQ-MELF	Corriente - Fuga inversa a Vr	5µA @ 150V
Corriente - rectificada media (Io)	6A	Capacitancia Vr, F	60pF @ 10V, 1MHz

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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