JAN1N5194

Microsemi Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	JAN1N5194
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35
Especificaciones:	JAN1N5194.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	4476 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4476 pcs

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Especificaciones de JAN1N5194

Número de pieza	JAN1N5194	Fabricante	Microsemi Corporation
Descripción	DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	4476 pcs	Ficha de datos	JAN1N5194.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	200mA (DC)
Tensión - Desglose	DO-35	Serie	Military, MIL-PRF-19500/118
Estado RoHS	Bulk	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Resistencia @ Si, F	-	Polarización	DO-204AH, DO-35, Axial
Otros nombres	1086-15754 1086-15754-MIL	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Número de pieza del fabricante	JAN1N5194
Descripción ampliada	Diode Standard 70V 200mA (DC) Through Hole DO-35	configuración de diodo	1.25mA @ 80V
Descripción	DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35	Corriente - Fuga inversa a Vr	1V @ 100mA
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	70V	Capacitancia Vr, F	-65°C ~ 170°C

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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