APTMC170AM30CT1AG

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	APTMC170AM30CT1AG
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 1700V 106A SP1
Especificaciones:	APTMC170AM30CT1AG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	121 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 121 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

100 pcs: $318.376

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Especificaciones de APTMC170AM30CT1AG

Número de pieza	APTMC170AM30CT1AG	Fabricante	Microsemi
Descripción	MOSFET 2N-CH 1700V 106A SP1	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	121 pcs	Ficha de datos	APTMC170AM30CT1AG.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.3V @ 5mA (Typ)	Paquete del dispositivo	SP1
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	30 mOhm @ 100A, 20V
Potencia - Max	700W	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	SP1	Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	32 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6160pF @ 1000V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	380nC @ 20V
Tipo FET	2 N Channel (Phase Leg)	Característica de FET	Silicon Carbide (SiC)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1700V (1.7kV)	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1700V (1.7kV) 100A (Tc) 700W Chassis Mount SP1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)

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