APTM60H23FT1G

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	APTM60H23FT1G
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
Especificaciones:	1.APTM60H23FT1G.pdf 2.APTM60H23FT1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	2734 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2734 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

100 pcs: $13.471

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Especificaciones de APTM60H23FT1G

Número de pieza	APTM60H23FT1G	Fabricante	Microsemi
Descripción	MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	2734 pcs	Ficha de datos	1.APTM60H23FT1G.pdf 2.APTM60H23FT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 1mA	Paquete del dispositivo	SP1
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	276 mOhm @ 17A, 10V
Potencia - Max	208W	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	SP1	Otros nombres	APTM60H23UT1G APTM60H23UT1G-ND
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5316pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	165nC @ 10V	Tipo FET	4 N-Channel (H-Bridge)
Característica de FET	Standard	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	20A

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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