APTM50AM70FT1G

Microsemi

La imagen puede ser representación. Ver especificaciones para detalles del producto.

Descripción del producto

Número de pieza:	APTM50AM70FT1G
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 500V 50A SP1
Especificaciones:	1.APTM50AM70FT1G.pdf 2.APTM50AM70FT1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5880 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5880 pcs

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Especificaciones de APTM50AM70FT1G

Número de pieza	APTM50AM70FT1G	Fabricante	Microsemi
Descripción	MOSFET 2N-CH 500V 50A SP1	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5880 pcs	Ficha de datos	1.APTM50AM70FT1G.pdf 2.APTM50AM70FT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 2.5mA	Paquete del dispositivo	SP1
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	84 mOhm @ 42A, 10V
Potencia - Max	390W	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	SP1	Otros nombres	APTM50AM70UT1G APTM50AM70UT1G-ND
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10800pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	340nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)	Característica de FET	Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	500V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500V 50A 390W Chassis Mount SP1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	50A

Modo de transporte
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Especificaciones

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