APTM120U10DAG

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	APTM120U10DAG
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
Especificaciones:	1.APTM120U10DAG.pdf 2.APTM120U10DAG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4015 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4015 pcs

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Especificaciones de APTM120U10DAG

Número de pieza	APTM120U10DAG	Fabricante	Microsemi
Descripción	MOSFET N-CH 1200V 116A SP6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4015 pcs	Ficha de datos	1.APTM120U10DAG.pdf 2.APTM120U10DAG.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 20mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SP6
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	120 mOhm @ 58A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3290W (Tc)	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	SP6	Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	28900pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	1100nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1200V	Descripción detallada	N-Channel 1200V 160A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	160A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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