APTM10UM01FAG

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	APTM10UM01FAG
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 860A SP6
Especificaciones:	1.APTM10UM01FAG.pdf 2.APTM10UM01FAG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	567 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 567 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $70.142

10 pcs: $66.755

25 pcs: $64.336

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Especificaciones de APTM10UM01FAG

Número de pieza	APTM10UM01FAG	Fabricante	Microsemi
Descripción	MOSFET N-CH 100V 860A SP6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	567 pcs	Ficha de datos	1.APTM10UM01FAG.pdf 2.APTM10UM01FAG.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 12mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SP6
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	1.6 mOhm @ 275A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2500W (Tc)	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	SP6	Otros nombres	APTM10UM01FAGMI APTM10UM01FAGMI-ND
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	60000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	2100nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V	Descripción detallada	N-Channel 100V 860A (Tc) 2500W (Tc) Chassis Mount SP6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	860A (Tc)

Modo de transporte
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