APTC90H12T2G

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	APTC90H12T2G
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
Especificaciones:	APTC90H12T2G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4867 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4867 pcs

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Especificaciones de APTC90H12T2G

Número de pieza	APTC90H12T2G	Fabricante	Microsemi
Descripción	MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4867 pcs	Ficha de datos	APTC90H12T2G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.5V @ 3mA	Paquete del dispositivo	SP2
Serie	CoolMOS™	RDS (Max) @Id, Vgs	120 mOhm @ 26A, 10V
Potencia - Max	250W	embalaje	Tray
Paquete / Cubierta	SP2	Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6800pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	270nC @ 10V	Tipo FET	4 N-Channel (H-Bridge)
Característica de FET	Super Junction	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	900V
Descripción detallada	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP2	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	30A

Modo de transporte
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Especificaciones

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