APTC80SK15T1G

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	APTC80SK15T1G
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	MOSFET N-CH 800V 28A SP1
Especificaciones:	1.APTC80SK15T1G.pdf 2.APTC80SK15T1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5832 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5832 pcs

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Especificaciones de APTC80SK15T1G

Número de pieza	APTC80SK15T1G	Fabricante	Microsemi
Descripción	MOSFET N-CH 800V 28A SP1	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5832 pcs	Ficha de datos	1.APTC80SK15T1G.pdf 2.APTC80SK15T1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.9V @ 2mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SP1
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	150 mOhm @ 14A, 10V
La disipación de energía (máximo)	277W (Tc)	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	SP1	Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4507pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	180nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	800V	Descripción detallada	N-Channel 800V 28A (Tc) 277W (Tc) Chassis Mount SP1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	28A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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