APTC60HM70BT3G

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	APTC60HM70BT3G
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
Especificaciones:	APTC60HM70BT3G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1230 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1230 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

100 pcs: $25.438

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Especificaciones de APTC60HM70BT3G

Número de pieza	APTC60HM70BT3G	Fabricante	Microsemi
Descripción	MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1230 pcs	Ficha de datos	APTC60HM70BT3G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.9V @ 2.7mA	Paquete del dispositivo	SP3
Serie	CoolMOS™	RDS (Max) @Id, Vgs	70 mOhm @ 39A, 10V
Potencia - Max	250W	embalaje	Tray
Paquete / Cubierta	SP3	Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	32 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	259nC @ 10V
Tipo FET	4 N-Channel (H-Bridge)	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 39A 250W Chassis Mount SP3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	39A

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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