APT9M100B

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	APT9M100B
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
Especificaciones:	1.APT9M100B.pdf 2.APT9M100B.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5853 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5853 pcs

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Especificaciones de APT9M100B

Número de pieza	APT9M100B	Fabricante	Microsemi
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5853 pcs	Ficha de datos	1.APT9M100B.pdf 2.APT9M100B.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-247 [B]
Serie	POWER MOS 8™	RDS (Max) @Id, Vgs	1.4 Ohm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	335W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2605pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	80nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1000V	Descripción detallada	N-Channel 1000V 9A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)

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