APT80SM120S

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	APT80SM120S
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	POWER MOSFET - SIC
Especificaciones:	APT80SM120S.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5937 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5937 pcs

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Especificaciones de APT80SM120S

Número de pieza	APT80SM120S	Fabricante	Microsemi
Descripción	POWER MOSFET - SIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5937 pcs	Ficha de datos	APT80SM120S.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	+25V, -10V
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)	Paquete del dispositivo	D3Pak
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	55 mOhm @ 40A, 20V
La disipación de energía (máximo)	625W (Tc)	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	235nC @ 20V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	20V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1200V
Descripción detallada	N-Channel 1200V 80A (Tc) 625W (Tc) Surface Mount D3Pak	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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