APT6M100K

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	APT6M100K
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
Especificaciones:	1.APT6M100K.pdf 2.APT6M100K.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4923 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4923 pcs

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Especificaciones de APT6M100K

Número de pieza	APT6M100K	Fabricante	Microsemi
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4923 pcs	Ficha de datos	1.APT6M100K.pdf 2.APT6M100K.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220 [K]
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	2.5 Ohm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)	225W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Otros nombres	APT6M100KMI APT6M100KMI-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1410pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	43nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1000V
Descripción detallada	N-Channel 1000V 6A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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