APT50GP60B2DQ2G

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	APT50GP60B2DQ2G
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	IGBT 600V 150A 625W TMAX
Especificaciones:	APT50GP60B2DQ2G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	7712 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7712 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

60 pcs: $5.079

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Especificaciones de APT50GP60B2DQ2G

Número de pieza	APT50GP60B2DQ2G	Fabricante	Microsemi
Descripción	IGBT 600V 150A 625W TMAX	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	7712 pcs	Ficha de datos	APT50GP60B2DQ2G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	600V	Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 50A
Condición de prueba	400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V	Td (encendido / apagado) @ 25 ° C	19ns/85ns
Cambio de Energía	465µJ (on), 635µJ (off)	Serie	POWER MOS 7®
Potencia - Max	625W	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3 Variant	Otros nombres	APT50GP60B2DQ2GMI APT50GP60B2DQ2GMI-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada	Standard	Tipo de IGBT	PT
puerta de carga	165nC	Descripción detallada	IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole
Corriente - Colector Pulsada (ICM)	190A	Corriente - colector (Ic) (Max)	150A

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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