APT19M120J

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	APT19M120J
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227
Especificaciones:	1.APT19M120J.pdf 2.APT19M120J.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	2488 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2488 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $13.059

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Especificaciones de APT19M120J

Número de pieza	APT19M120J	Fabricante	Microsemi
Descripción	MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	2488 pcs	Ficha de datos	1.APT19M120J.pdf 2.APT19M120J.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	ISOTOP®
Serie	POWER MOS 8™	RDS (Max) @Id, Vgs	530 mOhm @ 14A, 10V
La disipación de energía (máximo)	545W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	SOT-227-4, miniBLOC	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	9670pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	300nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1200V	Descripción detallada	N-Channel 1200V 19A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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