APT12067B2LLG

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	APT12067B2LLG
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
Especificaciones:	APT12067B2LLG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5722 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5722 pcs

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Especificaciones de APT12067B2LLG

Número de pieza	APT12067B2LLG	Fabricante	Microsemi
Descripción	MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5722 pcs	Ficha de datos	APT12067B2LLG.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	T-MAX™ [B2]
Serie	POWER MOS 7®	RDS (Max) @Id, Vgs	670 mOhm @ 9A, 10V
La disipación de energía (máximo)	565W (Tc)	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	TO-247-3 Variant	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4420pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	150nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1200V	Descripción detallada	N-Channel 1200V 18A (Tc) 565W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)

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Especificaciones

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