APT1201R4BFLLG

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	APT1201R4BFLLG
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
Especificaciones:	1.APT1201R4BFLLG.pdf 2.APT1201R4BFLLG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4832 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4832 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

30 pcs: $8.075

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Especificaciones de APT1201R4BFLLG

Número de pieza	APT1201R4BFLLG	Fabricante	Microsemi
Descripción	MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4832 pcs	Ficha de datos	1.APT1201R4BFLLG.pdf 2.APT1201R4BFLLG.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-247 [B]
Serie	POWER MOS 7®	RDS (Max) @Id, Vgs	1.5 Ohm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	300W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	28 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2030pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	75nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1200V
Descripción detallada	N-Channel 1200V 9A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 [B]	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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