1N5553US

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	1N5553US
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
Especificaciones:	1N5553US.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	9822 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 9822 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $4.816

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Especificaciones de 1N5553US

Número de pieza	1N5553US	Fabricante	Microsemi
Descripción	DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	9822 pcs	Ficha de datos	1N5553US.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.2V @ 9A	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	800V
Paquete del dispositivo	B, SQ-MELF	Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie	-	Tiempo de recuperación inversa (trr)	2µs
embalaje	Bulk	Paquete / Cubierta	SQ-MELF, B
Temperatura de funcionamiento - Junction	-65°C ~ 175°C	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	7 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Tipo de diodo	Standard
Descripción detallada	Diode Standard 800V 3A Surface Mount B, SQ-MELF	Corriente - Fuga inversa a Vr	1µA @ 800V
Corriente - rectificada media (Io)	3A	Capacitancia Vr, F	-

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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