1N3595US

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	1N3595US
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 4A B-MELF
Especificaciones:
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	11534 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 11534 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $4.836

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Especificaciones de 1N3595US

Número de pieza	1N3595US	Fabricante	Microsemi
Descripción	DIODE GEN PURP 4A B-MELF	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	11534 pcs	Ficha de datos
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1V @ 200mA	Paquete del dispositivo	B, SQ-MELF
Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Serie	-
Tiempo de recuperación inversa (trr)	3µs	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	SQ-MELF, B	Temperatura de funcionamiento - Junction	-65°C ~ 150°C
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	6 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo de diodo	Standard	Descripción detallada	Diode Standard 4A (DC) Surface Mount B, SQ-MELF
Corriente - Fuga inversa a Vr	1nA @ 125V	Corriente - rectificada media (Io)	4A (DC)
Capacitancia Vr, F	-

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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