NAND512R3A2SZA6F

Micron Technology

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Descripción del producto

Número de pieza:	NAND512R3A2SZA6F
Fabricante / Marca:	Micron Technology
Descripción del producto	IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
Especificaciones:	NAND512R3A2SZA6F.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5575 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificaciones de NAND512R3A2SZA6F

Número de pieza	NAND512R3A2SZA6F	Fabricante	Micron Technology
Descripción	IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5575 pcs	Ficha de datos	NAND512R3A2SZA6F.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página	50ns	Suministro de voltaje	1.7 V ~ 1.95 V
Tecnología	FLASH - NAND	Paquete del dispositivo	63-VFBGA (9x11)
Serie	-	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	63-TFBGA	Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	3 (168 Hours)
Tipo de memoria	Non-Volatile	Tamaño de la memoria	512Mb (64M x 8)
Interfaz de memoria	Parallel	Formato de memoria	FLASH
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Descripción detallada	FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 50ns 63-VFBGA (9x11)
Tiempo de acceso	50ns

Modo de transporte
Después de las ventas
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