MT47R128M8CF-3:H

Micron Technology

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Descripción del producto

Número de pieza:	MT47R128M8CF-3:H
Fabricante / Marca:	Micron Technology
Descripción del producto	IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Especificaciones:	MT47R128M8CF-3:H.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	13170 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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1000 pcs: $2.774

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Especificaciones de MT47R128M8CF-3:H

Número de pieza	MT47R128M8CF-3:H	Fabricante	Micron Technology
Descripción	IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	13170 pcs	Ficha de datos	MT47R128M8CF-3:H.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página	15ns	Suministro de voltaje	1.55 V ~ 1.9 V
Tecnología	SDRAM - DDR2	Paquete del dispositivo	60-FBGA (8x10)
Serie	-	embalaje	Tray
Paquete / Cubierta	60-TFBGA	Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	3 (168 Hours)
Tipo de memoria	Volatile	Tamaño de la memoria	1Gb (128M x 8)
Interfaz de memoria	Parallel	Formato de memoria	DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Descripción detallada	SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 333MHz 450ps 60-FBGA (8x10)
Frecuencia de reloj	333MHz	Número de pieza base	MT47R128M8
Tiempo de acceso	450ps

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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