Micron Technology| Número de pieza | MT46V64M8TG-5B:D TR | Fabricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 8053 pcs | Ficha de datos | MT46V64M8TG-5B:D TR.pdf |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 15ns | Suministro de voltaje | 2.5 V ~ 2.7 V |
| Tecnología | SDRAM - DDR | Paquete del dispositivo | 66-TSOP |
| Serie | - | embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) | Otros nombres | 557-1037-1 MT46V64M8TG-5B:D MT46V64M8TG-5B:F MT46V64M8TG5BDTR |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 4 (72 Hours) | Tipo de memoria | Volatile |
| Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) | Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | DRAM | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descripción detallada | SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP | Frecuencia de reloj | 200MHz |
| Número de pieza base | MT46V64M8 | Tiempo de acceso | 700ps |
| FedEx | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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