Micron Technology| Número de pieza | EDY4016AABG-DR-F-R TR | Fabricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 9032 pcs | Ficha de datos | EDY4016AABG-DR-F-R TR.pdf |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | - | Suministro de voltaje | 1.14 V ~ 1.26 V |
| Tecnología | SDRAM - DDR4 | Paquete del dispositivo | 96-FBGA (7.5x13.5) |
| Serie | - | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 96-TFBGA | Otros nombres | EDY4016AABG-DR-F-R EDY4016AABG-DR-F-R TR-ND EDY4016AABG-DR-F-R-ND EDY4016AABG-DR-F-RTR |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo de memoria | Volatile |
| Tamaño de la memoria | 4Gb (256M x 16) | Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | DRAM | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada | SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 1.2GHz 96-FBGA (7.5x13.5) | Frecuencia de reloj | 1.2GHz |
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|---|---|---|
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