EDB4432BBBJ-1D-F-R

Micron Technology

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Descripción del producto

Número de pieza:	EDB4432BBBJ-1D-F-R
Fabricante / Marca:	Micron Technology
Descripción del producto	IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
Especificaciones:	EDB4432BBBJ-1D-F-R.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	11826 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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In Stock 11826 pcs

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Especificaciones de EDB4432BBBJ-1D-F-R

Número de pieza	EDB4432BBBJ-1D-F-R	Fabricante	Micron Technology
Descripción	IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	11826 pcs	Ficha de datos	EDB4432BBBJ-1D-F-R.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página	-	Suministro de voltaje	1.14 V ~ 1.95 V
Tecnología	SDRAM - Mobile LPDDR2	Paquete del dispositivo	134-FBGA (10x11.5)
Serie	-	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	134-WFBGA	Otros nombres	EDB4432BBBJ-1D-F-R TR EDB4432BBBJ-1D-F-R TR-ND EDB4432BBBJ-1D-F-RTR
Temperatura de funcionamiento	-30°C ~ 85°C (TC)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	3 (168 Hours)	Tipo de memoria	Volatile
Tamaño de la memoria	4Gb (128M x 32)	Interfaz de memoria	Parallel
Formato de memoria	DRAM	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada	SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz 134-FBGA (10x11.5)	Frecuencia de reloj	533MHz

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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TNT	www.TNT.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

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