EDB2432B4MA-1DAUT-F-D

Micron Technology

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Descripción del producto

Número de pieza:	EDB2432B4MA-1DAUT-F-D
Fabricante / Marca:	Micron Technology
Descripción del producto	IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA
Especificaciones:	EDB2432B4MA-1DAUT-F-D.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	7919 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificaciones de EDB2432B4MA-1DAUT-F-D

Número de pieza	EDB2432B4MA-1DAUT-F-D	Fabricante	Micron Technology
Descripción	IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	7919 pcs	Ficha de datos	EDB2432B4MA-1DAUT-F-D.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página	-	Suministro de voltaje	1.14 V ~ 1.95 V
Tecnología	SDRAM - Mobile LPDDR2	Paquete del dispositivo	134-VFBGA (10x11.5)
Serie	-	embalaje	Tray
Paquete / Cubierta	134-VFBGA	Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 125°C (TC)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	3 (168 Hours)
Tipo de memoria	Volatile	Tamaño de la memoria	2Gb (64M x 32)
Interfaz de memoria	Parallel	Formato de memoria	DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Descripción detallada	SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 2Gb (64M x 32) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5)
Frecuencia de reloj	533MHz

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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