TPS1120DR

N/A

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Descripción del producto

Número de pieza:	TPS1120DR
Fabricante / Marca:	N/A
Descripción del producto	MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Especificaciones:
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	58073 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 58073 pcs

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Especificaciones de TPS1120DR

Número de pieza	TPS1120DR	Fabricante	N/A
Descripción	MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	58073 pcs	Ficha de datos
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-SOIC
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	180 mOhm @ 1.5A, 10V
Potencia - Max	840mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	296-1352-2 TPS1120DRG4 TPS1120DRG4-ND
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	5.45nC @ 10V	Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	15V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 15V 1.17A 840mW Surface Mount 8-SOIC	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.17A
Número de pieza base	TPS1120

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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