CSD23202W10

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Descripción del producto

Número de pieza:	CSD23202W10
Fabricante / Marca:	N/A
Descripción del producto	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Especificaciones:
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	280142 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 280142 pcs

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Especificaciones de CSD23202W10

Número de pieza	CSD23202W10	Fabricante	N/A
Descripción	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	280142 pcs	Ficha de datos
VGS (th) (Max) @Id	900mV @ 250µA	Vgs (Max)	-6V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	4-DSBGA (1x1)
Serie	NexFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	53 mOhm @ 500mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	1W (Ta)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	4-UFBGA, DSBGA	Otros nombres	296-40000-6
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	512pF @ 6V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	3.8nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	12V
Descripción detallada	P-Channel 12V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2.2A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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