CSD17579Q3AT

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Descripción del producto

Número de pieza:	CSD17579Q3AT
Fabricante / Marca:	N/A
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Especificaciones:
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	105395 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 105395 pcs

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Especificaciones de CSD17579Q3AT

Número de pieza	CSD17579Q3AT	Fabricante	N/A
Descripción	MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	105395 pcs	Ficha de datos
VGS (th) (Max) @Id	1.9V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-VSONP (3x3.15)
Serie	NexFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	10.2 mOhm @ 8A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.2W (Ta), 29W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerVDFN	Otros nombres	296-38463-1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	35 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	998pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	15nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 20A (Ta) 3.2W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.15)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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