
| Número de pieza | CSD16411Q3 | Fabricante | N/A |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 184082 pcs | Ficha de datos | |
| Voltaje - Prueba | 570pF @ 12.5V | Tensión - Desglose | 8-VSON (3.3x3.3) |
| VGS (th) (Max) @Id | 10 mOhm @ 10A, 10V | Vgs (Max) | 4.5V, 10V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Serie | NexFET™ |
| Estado RoHS | Tape & Reel (TR) | RDS (Max) @Id, Vgs | 14A (Ta), 56A (Tc) |
| Polarización | 8-PowerVDFN | Otros nombres | 296-24255-2 CSD16411Q3/2801 CSD16411Q3/2801-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | CSD16411Q3 | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3.8nC @ 4.5V |
| Tipo de IGBT | +16V, -12V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.3V @ 250µA |
| Característica de FET | N-Channel | Descripción ampliada | N-Channel 25V 14A (Ta), 56A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - | Descripción | MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 25V | relación de capacidades | 2.7W (Ta) |
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