BQ4013YMA-120

N/A

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Descripción del producto

Número de pieza:	BQ4013YMA-120
Fabricante / Marca:	N/A
Descripción del producto	IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP
Especificaciones:
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5971 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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In Stock 5971 pcs

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Especificaciones de BQ4013YMA-120

Número de pieza	BQ4013YMA-120	Fabricante	N/A
Descripción	IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5971 pcs	Ficha de datos
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página	120ns	Suministro de voltaje	4.5 V ~ 5.5 V
Tecnología	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	Paquete del dispositivo	32-DIP Module (18.42x42.8)
Serie	-	embalaje	Tray
Paquete / Cubierta	32-DIP Module (0.61", 15.49mm)	Otros nombres	296-32844-5 BQ4013YMA-120-ND BQ4013YMA120
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C (TA)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tipo de memoria	Non-Volatile
Tamaño de la memoria	1Mb (128K x 8)	Interfaz de memoria	Parallel
Formato de memoria	NVSRAM	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada	NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 120ns 32-DIP Module (18.42x42.8)	Número de pieza base	BQ4013
Tiempo de acceso	120ns

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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