ZDX080N50

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	ZDX080N50
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM
Especificaciones:	ZDX080N50.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	97015 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 97015 pcs

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Especificaciones de ZDX080N50

Número de pieza	ZDX080N50	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	97015 pcs	Ficha de datos	ZDX080N50.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220FM
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	850 mOhm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo)	40W (Tc)	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack	Otros nombres	ZDX080N50CT ZDX080N50CT-ND
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1120pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	23nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	500V
Descripción detallada	N-Channel 500V 8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)

Modo de transporte
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