US6M11TR

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	US6M11TR
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Especificaciones:	1.US6M11TR.pdf 2.US6M11TR.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	236974 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 236974 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.259

10 pcs: $0.218

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Especificaciones de US6M11TR

Número de pieza	US6M11TR	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	236974 pcs	Ficha de datos	1.US6M11TR.pdf 2.US6M11TR.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 1mA	Paquete del dispositivo	UMT6
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Potencia - Max	1W	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Otros nombres	US6M11DKR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	110pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	1.8nC @ 4.5V	Tipo FET	N and P-Channel
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V, 12V
Descripción detallada	Mosfet Array N and P-Channel 20V, 12V 1.5A, 1.3A 1W Surface Mount UMT6	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.5A, 1.3A
Número de pieza base	*M11

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